向往的生活第四季

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薄膜太阳能电池

发(fa)布者:高海英发(fa)布时间:2010-04-22浏览次数:8728

课题组简介:

本课(ke)题组(zu)主要研究CdTe,CuInSe2(CIS)体系(CuInGaSe, CuInSeS等)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)太(tai)阳(yang)能(neng)电(dian)(dian)池器件(jian)的(de)(de)制(zhi)备(bei)和物(wu)性(xing)研究,建立了(le)国内先进的(de)(de)半导体、金属、氧化(hua)物(wu)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)制(zhi)备(bei)设备(bei),制(zhi)备(bei)出具有(you)(you)一(yi)定(ding)转(zhuan)换效(xiao)率的(de)(de)CIGS(5%)和CdTe(13.2%)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)太(tai)阳(yang)电(dian)(dian)池,其中,CdTe薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)太(tai)阳(yang)能(neng)电(dian)(dian)池转(zhuan)换效(xiao)率处于(yu)国内领先水平,并(bing)跻身于(yu)国际(ji)高(gao)水平;研究具有(you)(you)CIS/CdS核壳结(jie)构的(de)(de)纳米棒(bang)异(yi)质结(jie)的(de)(de)表面(mian)、界(jie)面(mian)对(dui)其光(guang)(guang)学(xue)、电(dian)(dian)子输运性(xing)能(neng)的(de)(de)影响,构造具有(you)(you)一(yi)定(ding)直径分(fen)布的(de)(de)CIS/CdS异(yi)质结(jie)纳米棒(bang)阵列(lie),并(bing)研究CIS表面(mian)和CIS-CdS界(jie)面(mian)对(dui)其电(dian)(dian)子输运特性(xing)的(de)(de)影响;研究CIS纳米棒(bang)阵列(lie)的(de)(de)直径、阵列(lie)周期(qi)等对(dui)不同波长光(guang)(guang)的(de)(de)陷光(guang)(guang)效(xiao)应等。课(ke)题组(zu)现(xian)有(you)(you)总面(mian)积(ji)约130m2百级、千级的(de)(de)超净室,在薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)制(zhi)备(bei)方面(mian)具有(you)(you)较完备(bei)的(de)(de)多种(zhong)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)制(zhi)备(bei)设备(bei),包括有(you)(you)国产超高(gao)真空磁(ci)控溅射、脉冲激光(guang)(guang)沉(chen)积(ji)薄(bo)(bo)膜(mo)(mo)制(zhi)备(bei)设备(bei)、热(re)蒸发台、光(guang)(guang)刻机和快速升温硒化(hua)炉等。

 

课题组成员:

朱长飞:教授,课题组负责人

电话:0551-63602938

电子邮件:cfzhu at gzgsfw.com

 

王德亮:教授

电话:0551-63600450

电子邮件:eedewang at gzgsfw.com

 

江国顺:高级工程师

电话:0551-63600415

电子邮件:gsjiang at gzgsfw.com
 

刘伟丰:工程师

电话(hua):0551-63603894

电子邮件:liuwf at gzgsfw.com

Researcher ID: http://www.researcherid.com/rid/F-6250-2010

 

研究方向:

宽带隙特种半导体(GaN,SiC,ZnO…..)薄膜与器件研究;

纳米(mi)阵列的CIS薄(bo)膜太阳(yang)能(neng)电池的机理和原理型器件的制备及物(wu)性研究;

CdTe和CuInxGa1-xSe2太阳能薄膜电池材料及太阳电池器件(jian);

无机光电功能材(cai)(cai)料(liao)(新型(xing)半导体纳(na)米复合(he)材(cai)(cai)料(liao)、纳(na)米结构材(cai)(cai)料(liao))的设计与(yu)合(he)成

 

代表性文章:

Zhang ZW, Zhu CF, Fong WK, Leung KK, Chan PK and Surya C, Hot-electron Induced Degradations in GaN-based LEDs Fabricated on Nanoscale Epitaxial Lateral Overgrown Layers, Solid-State Electronics, accepted (2011).

D. Wang, Z. Hou, Z. Bai “Study of interdiffusion reaction at the CdS/CdTe interface”, J. Materials Research, 26, 1, (2011).

Zhang ZW, Li J, Wang M, Wei M, Jiang GS and Zhu CF, Influence of annealing conditions on the structure and compositions of electrodeposited CuInSe2 films, Solid State Communications,150 (2010) 2346-2349.

Jiao Xu, Beifang Yang, Ming Wu, Zhengping Fu, Yan Lv and Yongxun Zhao, Novel N-F-Codoped TiO2 Inverse Opal with a Hierarchical Meso-/Macroporous Structure: Synthesis, Characterization, and Photocatalysis, J. Phys. Chem. C, 114, 15251(2010).

Kong Hui, Zhu Changfei, Variation of ultrasonic behaviors in R1/3Sr2/3FeO3 (R = La, Pr, Gd), EPL, 86(5), (2009) 54001 p1-p5.

Luo PF, Zhu CF and Jiang GS, Preparation of CuInSe2 thin films by pulsed laser deposition the Cu-In alloy precursor and vacuum selenization, Solid State Communications, 146 (2008) 57-60.

Hui Kong,Changfei Zhu, Ultrasonic anomalies in La1/3Sr2/3MO3 (M=Fe, Mn) , Applied Physics Letters, Vol.88:(4), (2006) 41920-41922.

D. Wang, L. Wan, Z. Bai, Y. Cao, “Mixed phases in p-type CuInSe2 thin films detected by using micro-Raman scattering spectroscopy”, Appl. Phys. Lett., 92, 211912 (2008).

D.Wang, B. Chen, J. Zhao, “Lattice vibration fundamentals of nanocrystalline anatase: a temperature-dependent study by using micro-Raman scattering spectroscopy”, J. Appl. Phys. 101, 113501 (2007).

S. Jia, Y. Cai, D.Wang, B. Zhang, K. Lau, K. Chen, “Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate”, IEEE Transactions on Electron Devices, 53, 1474 (2006).

Z. Yang, R. Wang, S. Jia, D. Wang, B. Zhang, K.M. Lau, K.J. Chen, “Mechanical characterization of suspended GaN microstructures fabricated by GaN-on-patterned-silicon technique”, Appl. Phys. Lett., 88, 041913 (2006).
 

获奖与荣誉:

杨(yang)碚芳教授(shou) 王宽诚育才二等奖 (2010)

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